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Nasschemische Verfahren

Einschließlich elektrischer oder elektrochemischer Abscheidung

Nasschemie wird nach wie vor bei der Verarbeitung von Wafern und Substraten verwendet und kommt vorrangig bei zwei wichtigen Aufgaben zum Einsatz:

  1. Entfernen von organischen, Oxid- oder metallischen und ionischen Verunreinigungen während verschiedener Phasen des Herstellungsprozesses. Zu diesen Prozessen zählen RCA oder SC1- und SC2-Reinigungen und Nass-Resist-Stripping.
  2. Aufbringen von Kupfer bei der Interconnect- oder 3D-Packung, das eine elektrochemische oder elektrische Abscheidung erfordert.

Abgesehen von einer hohen Beständigkeit gegenüber bestimmten Chemikalien dürfen Dichtungsmaterialien die Reinigungs- oder Stripping-Flüssigkeiten auf keinen Fall durch den Eintrag von organischen Stoffen oder Spurenmetallen verunreinigen.

Die richtige Auswahl der von PPE empfohlenen Produkte bietet folgende Vorteile:

  • Kostenoptimierte Empfehlung je nach Anwendung
  • Niedrige chemische Erosionsraten
  • Geringe Verunreinigung durch Spurenmetalle
  • Niedrige Partikelfreisetzung an entscheidenden Stellen
  • Weniger Löcher/Poren bei dünn-gebondeten Elastomerwerkstoff-Anwendungen
  • Minimale Auswirkungen auf die Ausbeute der Geräten und der elektrischen Energie
  • Minimierter Kupfer-Plate-up bei elektrochemischer Abscheidung (ECD)
  • Geringere Kosten für Verbrauchsmaterialien (CoC)  

In der nachstehenden Tabelle finden Sie die von PPE empfohlenen und kompatiblen Elastomerwerkstoffklassen.  Die primären Klassen sind auf kritische Systeme/Werkzeug-Locations ausgerichtet.  Weiterführende Unterstützung bei der richtigen Auswahl von Dichtungen erhalten Sie beim Vertriebspartner in Ihrer Nähe.

Prozess/AnwendungenTemperatur-
bereich
ProzessmedienPrimär-
Werkstoffe
Vergleichbare
Werkstoffe
Anmerkungen
Reinigen/Ätzen25 – 150 °C
UPDI, Piranha, SC1, SC2, O3, HF (49 %), H3PO4, HNO3G80A, G67P, G75MG74P, G100XTDie genaue Empfehlung hängt von der Spezifikation für die Spurenmetallkontamination ab.
Fotolithografie 
Resist-Stripping
25 – 125 °C
H2SO4 + Oxidationsmittel, organische Säuren, NMP, AmineG80A, G67P, G75MG74P, G100XT
Verkupferung
ECD
25 – 100 °C
CuSO4-Lösung H2SO4, H2O2V75SCY75GGebondete Lippendichtung
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