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Plasmaprozesse

Bei Plasmaprozessen werden Elastomerdichtungen sehr starken Angriffen ausgesetzt, insbesondere an den kritischen Stellen, die direkt mit den Chemikalien in Kontakt kommen und sich in der Nähe des Wafers oder Substrats befinden. Das Sauerstoff-Resist-Stripping und radikalisierte Plasmen, wie Remote-NF3-Ätzen und Kammerreinigungen unter Verwendung von Remote-Plasmaquellen (RPS) gehören dabei zu den aggressivsten Verfahren.

Alle Dichtungen, und insbesondere jene an den kritischen Stellen, zersetzen sich im Laufe der Zeit. Es gibt kein Dichtungsmaterial, das für alle Chemikalien optimiert oder für jede Werkzeug-Location und jeden Produkttyp geeignet wäre. Die richtige Auswahl der von PPE empfohlenen Produkte birgt folgende Vorteile:

  • Kostenoptimierte Empfehlung, je nach Anwendung
  • Niedrige Erosionsraten
  • Geringe Spurenmetallgehalte an entscheidender Stelle
  • Niedrige Partikelfreisetzung an entscheidenden Stellen
  • Minimale Auswirkungen auf die Ausbeute der Geräten und der elektrischen Energie
  • Geringere Kosten für Verbrauchsmaterialien (CoC)

In der nachstehenden Tabelle sind empfohlene und kompatible Elastomerwerkstoffklassen aufgeführt. Die primären Klassen sind auf kritische Systeme/Werkzeug-Locations ausgerichtet.

Es wurden umfassende Prüfungen der Plasmabeständigkeit an mehr als 20 auf dem Markt erhältlichen Elastomerwerkstoffen durchgeführt, darunter auch Produkte führender Hersteller.  Finden Sie heraus, wie die Erosionsraten der einzelnen Werkstoffe in vier handelsüblichen chemischen Plasmaumgebungen im Vergleich zu den entsprechenden Klassen von PPE abgeschnitten haben.

Weiterführende Unterstützung bei der richtigen Auswahl von Dichtungen erhalten Sie beim Vertriebspartner in Ihrer Nähe.

Prozess/AnwendungTemperatur-
bereich
ProzessmedienPrimäre
Werkstoffe
Vergleichbare
Werkstoffe
Anmerkungen
PECVD/HPDCVD

25 – 200 °C

SiH4, N2, NH3, N2O, NO, Organosilan/Siloxan, O2, CF4, C2F6, C3F8, SF6, SiF4G67G, G67PG65HP, G75H, G74P, G76W, K2CD, Y75G, V75SCDie genauen Empfehlungen sind hauptsächlich von den Medien für die Kammerreinigung und den Vorgaben für die Defekt-/Spurenmetallverunreinigung abhängig.
NF3, F2, Hochradikal-Remote-ReinigungG65HP, G67GK2CD, G75H, G76W
Resist-Stripping/Asche25 – 200 °C
O2, CF4, SF6, CHF3, NH3, H2, H2O, NO, N2O, FormiergasG67G, G65HP, Y75GG75H, G76W, K2CD, Y75NG65HP allgemein gut in verschiedenen chemischen Umgebungen und besonders für Hochradikal-Prozesse geeignet.
G76W, Y75G, Y75N, K13X sind kostengünstigere Optionen.



Dielektrisches Ätzen25 – 200 °C
H2, O2, CO, CO2, NO, NO2, N2O, CS2, COS, CF4, CH4, CHF3, C2F4, C2F6, C3F8, C4F8, C4F6, C4F10, C5F8, C6F6, SF6G65HP, G67G, Y75GG67P, G74P, G75H, G76W, K2CD, Y75N
Leitungs-Ätzen
25 – 200 °C


CF4, CHF3, C2F6, C3F8, SF6, HBr, BCl3, SiCl4, CCl4, Cl2, CCl2F2 G65HP, G67G, Y75GG67P, G74P, G75H, G76W, K2CD, K13X, Y75N
O2, CO, NO, N2O, NF3G65HP, G67GG76W, G75H, K2CD
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