Nasschemische Verfahren
Einschließlich elektrischer oder elektrochemischer Abscheidung
Nasschemie wird nach wie vor bei der Verarbeitung von Wafern und Substraten verwendet und kommt vorrangig bei zwei wichtigen Aufgaben zum Einsatz:
- Entfernen von organischen, Oxid- oder metallischen und ionischen Verunreinigungen während verschiedener Phasen des Herstellungsprozesses. Zu diesen Prozessen zählen RCA oder SC1- und SC2-Reinigungen und Nass-Resist-Stripping.
- Aufbringen von Kupfer bei der Interconnect- oder 3D-Packung, das eine elektrochemische oder elektrische Abscheidung erfordert.
Abgesehen von einer hohen Beständigkeit gegenüber bestimmten Chemikalien dürfen Dichtungsmaterialien die Reinigungs- oder Stripping-Flüssigkeiten auf keinen Fall durch den Eintrag von organischen Stoffen oder Spurenmetallen verunreinigen.
Die richtige Auswahl der von PPE empfohlenen Produkte bietet folgende Vorteile:
- Kostenoptimierte Empfehlung je nach Anwendung
- Niedrige chemische Erosionsraten
- Geringe Verunreinigung durch Spurenmetalle
- Niedrige Partikelfreisetzung an entscheidenden Stellen
- Weniger Löcher/Poren bei dünn-gebondeten Elastomerwerkstoff-Anwendungen
- Minimale Auswirkungen auf die Ausbeute der Geräten und der elektrischen Energie
- Minimierter Kupfer-Plate-up bei elektrochemischer Abscheidung (ECD)
- Geringere Kosten für Verbrauchsmaterialien (CoC)
In der nachstehenden Tabelle finden Sie die von PPE empfohlenen und kompatiblen Elastomerwerkstoffklassen. Die primären Klassen sind auf kritische Systeme/Werkzeug-Locations ausgerichtet. Weiterführende Unterstützung bei der richtigen Auswahl von Dichtungen erhalten Sie beim Vertriebspartner in Ihrer Nähe.
Prozess/Anwendungen | Temperatur- bereich | Prozessmedien | Primär- Werkstoffe | Vergleichbare Werkstoffe |
Reinigen/Ätzen | 25 – 150 °C | UPDI, Piranha, SC1, SC2, O3, HF (49 %), H3PO4, HNO3 | G80A, G67P, G75M | G74P, G100XT |
Fotolithografie Resist-Stripping | 25 – 125 °C | H2SO4 + Oxidationsmittel, organische Säuren, NMP, Amine | G80A, G67P, G75M | G74P, G100XT |
Verkupferung ECD | 25 – 100 °C | CuSO4-Lösung H2SO4, H2O2 | G80A, V75SC | Y75G |